AS6C62256-55SINTR SRAM: 핀배치, 사양, 타이밍 및 대체 제품
2026-09-30 765

AS6C62256-55SINTR는 얼라이언스 메모리의 저전력 256 Kbit SRAM입니다. 55 ns의 접근 시간을 제공하며, 임시 데이터 저장을 위한 8비트 병렬 인터페이스를 제공합니다. 이 가이드는 핀배치, 전기 사양, 읽기 및 쓰기 타이밍, 데이터 유지, 패키지 및 가능한 대체 제품을 설명합니다.

카탈로그

그림 1. AS6C62256-55SINTR 28핀 SOP 패키지

AS6C62256-55SINTR 개요

AS6C62256-55SINTR는 얼라이언스 메모리의 256 Kbit SRAM으로, 55 ns 접근 시간과 −40 °C에서 +85 °C의 산업 작동 온도 범위를 가지고 있습니다. 그것은 28핀, 330 mil SOP 표면 장착 패키지를 사용합니다.

얼라이언스의 데이터시트는 55SIN을 55 ns 산업 SOP 버전으로 식별합니다. 얼라이언스는 또한 AS6C62256-55SIN 을 55 ns 산업 SOP 주문 버전으로 나열합니다. 전체 AS6C62256-55SINTR 주문 코드의 제품 목록은 테이프 및 릴 포장을 지정합니다.

수량, 가격, 날짜 코드, 상태, 포장 및 리드 타임을 확인하기 위해 RFQ를 제출하십시오.

AS6C62256-55SINTR 아키텍처 및 핀배치

AS6C62256-55SINTR는 32K × 8 메모리 배열을 포함합니다. 주소 입력 A0–A14는 주소 디코더를 통해 32,768개의 위치 중 하나를 선택합니다. 읽기 동안 선택된 8비트 단어는 열 I/O 및 데이터 회로를 통해 DQ0–DQ7까지 이동합니다. 쓰기 동안 데이터는 선택된 위치로 같은 경로를 따라 이동합니다.

제어 회로는 CE#를 사용하여 칩을 선택하고, WE#를 사용하여 쓰기를 제어하며, OE#를 사용하여 읽기 동안 출력을 활성화합니다. #은 활성-로 신호를 나타냅니다. VCC는 전원 공급 핀이고, VSS는 접지입니다.

작동 모드	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
대기	H	X	X	높은 임피던스
출력 비활성화	L	H	H	높은 임피던스
읽기	L	L	H	데이터 출력
쓰기	L	X	L	데이터 입력

H 은 높음을 의미하고, L은 낮음을 의미하며, X는 어떤 상태든 의미합니다. 작동 모드는 얼라이언스 메모리의 진리표에 따릅니다.

그림 2. AS6C62256-55SINTR SRAM의 단순화된 기능 블록 다이어그램, 얼라이언스 메모리 데이터시트에서 재작성됨

핀	신호	핀	신호
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

그림 3. AS6C62256-55SINTR 28-핀 SOP 핀 배치 (상단 조망)

이 부품의 28-핀 SOP 패키지에 대해 PDIP/SOP 핀 다이어그램을 사용하십시오. sTSOP 버전은 다른 핀 배열을 가지고 있습니다.

AS6C62256-55SINTR 기능 및 전기 사양

AS6C62256-55SINTR은 리프레시 없이 작동하며 TTL 호환 입력 및 출력을 제공합니다. 세 가지 상태의 출력은 칩이 비선택될 때 데이터 버스를 공유할 수 있습니다. 아래의 표는 산업 온도에서 운영되는 28-핀 SOP 변형에 대한 사양을 보여줍니다. 대시(-)는 값이 지정되지 않았음을 의미합니다.

일반 사양

매개변수	AS6C62256-55SINTR 사양
메모리 조직	32,768 × 8 비트 (256 Kbit)
동작 전원 공급 전압, VCC	2.7에서 5.5 V
접근 시간	최대 55 ns
동작 온도, TA	−40에서 +85 °C
패키지	28-핀, 330 밀리 SOP
배송 형식	테이프 및 릴
규정 준수	RoHS 준수

절대 최대 정격

매개변수	기호	정격
단자 전압 VSS에 대한 상대 전압	VTERM	−0.5에서 +7.0 V
동작 온도, 산업 등급	TA	−40에서 +85 °C
보관 온도	TSTG	−65에서 +150 °C
전력 소모	PD	1 W
DC 출력 전류	IOUT	50 mA
납땜 온도	TSOLDER	260 °C에서 10초 미만

절대 최대 정격은 스트레스 한계이지, 동작 조건이 아닙니다. Alliance Memory는 이 표에서 산업 온도 범위를 나열하고 AS6C62256-55SIN을 주문 정보에서 산업 SOP 변형으로 식별합니다.

DC 전기적 특성

매개변수	기호	테스트 조건	최소값	일반값	최대값
입력 높은 전압	VIH	정상 작동	2.4 V	—	VCC + 0.5 V
입력 낮은 전압	VIL	정상 작동	−0.5 V	—	0.6 V
입력 누설 전류	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
출력 누설 전류	ILO	출력 비활성화; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
출력 높은 전압	VOH	IOH = −1 mA	2.4 V	3.0 V	—
출력 낮은 전압	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0.4 V
동작 전원 공급 전류	ICC	최소 사이클 타임; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
동작 전원 공급 전류	ICC1	1 µs 사이클; CE# ≤ 0.2 V; I/O = 0 mA; 다른 핀은 0.2 V 또는 VCC − 0.2 V	—	3 mA	10 mA
대기 전원 공급 전류	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
산업 대기 전원 공급 전류	ISB1	CE# ≥ VCC − 0.2 V; 다른 핀은 0.2 V 또는 VCC − 0.2 V	—	1 µA	30 µA

데이터 시트는 풀이 10 ns보다 짧아질 경우 VIH을 VCC + 3.0 V까지 및 VIL을 VSS − 3.0 V까지 허용합니다. 이들은 과도 및 부족 조건으로 특성화된 것으로, 정상 DC 작동 한계가 아닙니다. 특히, VCC가 3.3 V일 때 연속적인 5 V 입력이 허용된다고 설정하지 않습니다. 일반값은 참고용이며 보장된 한계가 아닙니다. ISB1 값은 명시된 대기 테스트 조건 하에서만 적용됩니다.

정전 용량 및 AC 테스트 조건

매개변수	조건	값
입력 정전 용량, CIN	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	최대 6 pF
입력/출력 정전 용량, CI/O	TA = 25 °C; f = 1.0 MHz	최대 8 pF
입력 펄스 수준	AC 타이밍 테스트	0.2 V에서 VCC − 0.2 V
입력 상승 및 하강 시간	AC 타이밍 테스트	3 ns
입력 및 출력 타이밍 참조	AC 타이밍 테스트	1.5 V
출력을 위한 부하	AC 타이밍 테스트	CL = 50 pF + 1 TTL 부하; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

정전 용량 한계는 장치 특성을 통해 보장되지만, 생산 테스트는 하지 않습니다.

AS6C62256-55SINTR 읽기 및 쓰기 타이밍

AS6C62256-55SINTR는 주소 제어 읽기와 CE# 및 OE#로 제어되는 읽기를 지원합니다. 쓰기는 WE# 또는 CE#가 상승할 때 종료될 수 있습니다. 표에는 55 ns 버전의 타이밍 한계가 나와 있습니다.

읽기 사이클

그림 4. AS6C62256-55SINTR 읽기 사이클 타이밍 웨이브폼

읽기 사이클 1, 주소 제어: CE#와 OE#를 낮게 유지하고 WE#를 높게 유지합니다. A0–A14의 변화는 다음 메모리 위치를 선택합니다. 주소가 변경된 직후에 이전 출력이 잠시 유효하며, 그 다음 DQ0–DQ7는 새 위치의 데이터를 나타냅니다.

읽기 사이클 2, CE# 및 OE# 제어: WE#를 높게 유지하고 주소가 안정된 상태에서 CE#를 낮춰 칩을 선택하고 OE#를 낮춰 출력을 활성화합니다. 해당 주소, 칩 활성화 및 출력 활성화 지연이 경과한 후 데이터가 유효해집니다. CE# 또는 OE#를 상승시키면 출력은 고임피던스로 돌아갑니다.

매개변수	기호	최소값	최대값
읽기 사이클 시간	tRC	55 ns	—
주소 접근 시간	tAA	—	55 ns
칩 활성화 접근 시간	tACE	—	55 ns
출력을 활성화하는 접근 시간	tOE	—	30 ns
저항(low-Z) 상태의 출력으로 칩 활성화	tCLZ*	10 ns	—
저항(low-Z) 상태의 출력으로 출력 활성화	tOLZ*	5 ns	—
고임피던스(high-Z) 상태의 출력으로 칩 비활성화	tCHZ*	—	20 ns
고임피던스(high-Z) 상태의 출력으로 출력 비활성화	tOHZ*	—	20 ns
주소 변경 후 출력 유지	tOH	10 ns	—

쓰기 사이클

그림 5. AS6C62256-55SINTR 쓰기 사이클 타이밍 웨이브폼

쓰기 사이클 1, WE# 제어: CE#를 낮게 유지하고 유효한 주소를 제시하며 WE#를 낮추는 펄스를 생성합니다. WE#가 상승하기 전에 DQ0–DQ7에 입력 데이터를 배치합니다. 해당 상승 엣지가 쓰기를 종료합니다.

쓰기 사이클 2, CE# 제어: WE#를 낮게 유지하고 주소와 입력 데이터가 유효한 동안 CE#를 낮춥니다. CE#의 상승 엣지가 쓰기를 종료합니다. 어느 사이클에서든 외부 장치가 공유 DQ 버스에 데이터를 전송하기 전에 출력 비활성화 지연을 고려해야 합니다.

매개변수	기호	최소값	최대값
쓰기 사이클 시간	tWC	55 ns	—
주소 유효성에서 쓰기 종료까지	tAW	50 ns	—
칩 활성화에서 쓰기 종료까지	tCW	50 ns	—
주소 설정 시간	tAS	0 ns	—
쓰기 펄스 폭	tWP	45 ns	—
쓰기 복구 시간	tWR	0 ns	—
쓰기 시간 중 데이터 중첩	tDW	25 ns	—
쓰기 종료 후 데이터 유지	tDH	0 ns	—
쓰기 종료 후 출력을 활성화	tOW*	5 ns	—
고임피던스(high-Z) 상태에서 출력으로 쓰기	tWHZ*	—	20 ns

데이터 시트에는 tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW 및 tWHZ에 대해 CL = 5 pF가 지정되어 있습니다. 해당 High-Z 및 Low-Z 전환은 정상 상태 출력 수준에서 ±500 mV로 측정됩니다. 이 여섯 개의 매개변수에 대해 일반적인 50 pF + 1 TTL 부하 조건을 적용하지 마세요. 별표가 달린 매개변수는 장치 특성에 의해 보장되지만 생산 테스트는 하지 않습니다.

AS6C62256-55SINTR 데이터 보존

그림 6. 간소화된 AS6C62256 데이터 보존 웨이브폼, Alliance Memory 데이터 시트에서 재작성됨

VCC가 정상 작동 전압인 2.7 V 미만으로 떨어지기 전에 CE#를 높입니다. 데이터 보존 중에는 VCC를 1.5 V 이상으로 유지하고 CE# ≥ VCC − 0.2 V를 유지합니다.

매개변수	기호	시험 조건	최소값	일반값	최대값
데이터 보존 전원 전압	VDR	CE# ≥ VCC − 0.2 V	1.5 V	—	5.5 V
데이터 보존 전류	IDR	VCC = 2.0 V; CE# ≥ VCC − 0.2 V	—	0.5 µA	20 µA
칩 비활성화에서 데이터 보존 시간	tCDR	VCC가 작동 범위 미만으로 떨어지기 전	0 ns	—	—
복구 시간	tR	VCC가 작동 범위로 돌아온 후	tRC	—	—

VCC가 정상 범위인 2.7 V에서 5.5 V로 돌아오면 메모리에 접근하기 전에 최소한 하나의 읽기 사이클(tRC = 55 ns)을 기다립니다.

AS6C62256-55SINTR 패키지 치수 및 CAD 모델

28핀 SOP 패키지 외형

그림 7. AS6C62256 28핀, 330 mil SOP 패키지 외형

AS6C62256-55SINTR는 28핀, 330 mil SOP 패키지를 사용합니다. 패키지 도면은 장치를 위에서 보여줍니다. 선택된 패키지 치수는 아래에 표시됩니다. 전체 치수와 허용오차는 Alliance Memory 패키지 도면을 참조하십시오.

도면 기호	치수
A	3.048 mm 최대
A1	0.05 mm 최소
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm 일반
D	18.491 mm 최대
E	8.636 mm 최대
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm 일반

PCB 풋프린트 및 조립 여유를 확인할 때 제조업체의 도면과 이 치수를 함께 사용하십시오.

회로 기호, PCB 풋프린트 및 3D 모델

그림 8. AS6C62256-55SINTR 회로 기호, 28핀 SOP PCB 풋프린트 및 3D 패키지 모델

AS6C62256-55SINTR 애플리케이션

Alliance Memory는 AS6C62256의 애플리케이션으로 저전력 및 배터리 백업 메모리를 식별합니다. 아래의 용도는 실용적인 설계 예시입니다. 적합성은 시스템의 전원 전압, 병렬 인터페이스, 메모리 용량 및 타이밍 요구 사항에 따라 다릅니다.

• 산업 컨트롤러: 산업 컨트롤러는 SRAM을 사용하여 임시 측정값이나 운영 데이터를 저장할 수 있습니다. 적절한 백업 전원이 있으면 전원 중단 동안 데이터를 유지할 수 있습니다.

• 임베디드 시스템: 호환 가능한 컨트롤러에 32 KB의 작업 메모리를 제공합니다.

• 휴대용 기기: 배터리로 작동되는 장비에서 판독값과 임시 데이터를 보유합니다.

• 데이터 로깅 장비: 처리 또는 전송 전에 측정값을 버퍼링합니다.

• 통신 장비: 호환되는 설계에서 임시 데이터나 구성 값을 보유합니다.

AS6C62256-55SINTR 대안 및 호환성 체크

Alliance Memory의 현재 교차 참조는 AS6C62256-55SINTR을 CY62256NLL-55SNXIT의 대체품으로 나열합니다. 해당 나열은 Cypress 부품에서 Alliance 부품으로의 대체를 설명합니다. 이 목록은 Cypress 부품이 역방향으로 작동할 것이라고 확인하지 않습니다. 설치된 AS6C62256-55SINTR을 대체하기 전에 확인이 필요한 엔지니어링 후보로 취급하십시오.

후보	제조업체 교차 참조 관계	역 대체 전에 확인
CY62256NLL-55SNXIT	Alliance의 현재 교차 참조는 이 Cypress 주문 코드를 AS6C62256-55SINTR에 매핑합니다.	공급 전압, 핀 배열, SOP 풋프린트, 55 ns 타이밍, 온도 범위 및 데이터 유지 한계를 비교하십시오.

다른 장치를 대체하기 전에 전체 주문 코드, 핀 연결, PCB 풋프린트, 공급 전압, 읽기 및 쓰기 타이밍, 작동 온도 및 데이터 유지 요구 사항을 비교하십시오.

AS6C62256-55SINTR를 선택할 때

디자인에 32K × 8 비동기 SRAM이 필요하고 55 ns 접근, 2.7–5.5 V 공급 범위, -40 °C에서 +85 °C의 산업 운영 및 28핀, 330 mil SOP 풋프린트가 필요할 때 AS6C62256-55SINTR를 선택하십시오. 이 장치는 이미 이 패키지와 핀 배열을 사용하는 보드를 유지하는 후보이기도 합니다.

시스템에 직렬 인터페이스, 상당히 더 많은 용량, 또는 다른 PCB 풋프린트가 필요하면 다른 메모리 장치를 선택하십시오. AS6C62256-55SINTR는 휘발성이므로 데이터가 주 전원 손실을 견딜 수 있어야 하면 적절한 유지 전원을 유지해야 합니다.

기술 참조

• Alliance Memory, AS6C62256 데이터시트, 개정 1.2, 2016년 3월 23일.

• Alliance Memory, Cypress Semiconductor CY62256 대체품.

• Alliance Memory, CY62256 저전력 SRAM을 위한 쉽게 사용 가능한 대체품, 2018년 8월 2일.