Global Power Technologies Group
Global Power Technologies Group

2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

Image

Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

MOSFET N-CH 900V 7A TO220

MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227

DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227

IGBT MODULE 1200V 335A

MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227

IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227

IGBT 1000V 60A 463W TO264

IGBT 600V 80A 231W TO3PN

MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

MOSFET N-CH 600V 4A TO220

DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227

DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3

DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227

IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

DIODE SIC 1200V 50A TO24

MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

MOSFET N-CH 500V 10A TO220

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227

DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227

DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

MOSFET N-CH 500V 8A TO220

MOSFET N-CH 900V 9A TO220

DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

MOSFET N-CH 500V 14A TO220

이메일: Info@ariat-tech.com홍콩 전화 : +00 852-30501966더하다: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, 홍콩.