5G 통신으로 인해 GaAs OEM 리더는 안정적인 수익에서 점차 회복 될 것으로 예상
갈륨 비소 (GaAs)와 질화 갈륨 (GaN) 파운드리 리더들은 2019 년 2 분기 동안 꾸준히 매출을 선포하고 있으며, 그 수입은 1 억 4 천 1 백만 달러에 달합니다. 2 분기 매출은 1 분기 대비 20.2 % 증가한 반면, 연간 증가 (감소) 비율은 6.9 %의 작은 감소로 중미 무역 마찰에 의해 계속 영향을 받았다. 그러나 사건의 영향은 점차 느려졌으며 예측은 추정됩니다. 2019 년 3 분기 매출은 2 분기보다 개선 될 것으로 예상되며 2 분기에 비해 약 30 % 증가 할 가능성이 있습니다.
5G 통신 장비 및 기지국에 대한 수요로 인해 안정적인 수익은 2019 년 1 분기부터 크게 반등했습니다.
중미 무역 전쟁의 영향으로 인해 2018 년 3 분기 이후 갈륨 비소 및 질화 갈륨 파운드리 제조업체의 안정적인 수익이 2017 년 같은 기간에 9.2 %의 점진적인 감소에 비해 크게 영향을 받았습니다. 2018 년 4 사분기와 2019 년 1 사분기에는 -25.8 %와 -23.3 %로 하락이 더욱 두드러졌습니다.
2019 년 2/4 분기에 전 세계 환경은 불확실성과 소비재 수요 부족으로 가득했습니다. 2019 년 2/4 분기에 5G는 통신 장비 및 기지국 장비의 5G 매출에 대한 저항력이 높았으며, 심지어 반대의 성장에도 영향을 미쳤습니다.
GaN 컴포넌트는 5G 기지국에 대한 수요로 인해 축복을받을 것이며, 안정성은 점차 중미 무역 전쟁을 제거 할 것입니다.
5G 인프라의 개발로 기지국 관련 장비의 전력 증폭기 (PA)가 점점 더 주목을 받고 있습니다. 기지국의 신호 전송 거리와 전력 사용량의 차이로 인해 휴대 전화에 사용되는 PA 구성 요소 (GaAspHEMT)와 비교할 때 기지국의 PA 구성 요소는 GaN HEMT 구성 요소로 변환되어야합니다. 더 높은 주파수와 높은 전력. 이것은 기지국 장비의 성능과 내구성을 향상시킵니다.
GaNonSi 부품의 기지국 장비 산업 체인을 자세히 분석하면 (아래 그림 참조), Si 기판 공급 업체, GaN 에피 택셜 플랜트, 제조 파운드리 및 패키징 및 테스트 파운드리에 중점을두고 있으며, 그 중 GaN 제조 공정 품질 파운드리 PA 및 기타 기지국과 같은 장비 구성 요소의 기능적 성능을 결정합니다.
꾸준한 매출 상황에 따르면, 기지국 장비 부문은 2017 년 1 분기 저점에서 12 %로 전체 수입에서 점점 더 중요해졌으며 2019 년 2 분기에는 점차 29 %로 증가했습니다.
전체 수익 측면에서 분기 별 발전에 따라 안정적인 기지국 장비의 출력 값은 분기별로 증가했으며 2019 년 2 분기에 4,400 만 달러의 높은 지점에 도달하여 계절. 수익 성능은 중미 무역 전쟁의 영향을 받지만이 단계에서 5G 통신 장비의 개발 및 레이아웃은 여전히 진행 중입니다. 기지국 장비에서 안정적인 GaN 구성 요소를 사용하고 구성하기 위해 수입은 점차적으로 Sino-US 마찰 헤이즈를 제거합니다.
5G 통신 장비 및 기지국에 대한 수요로 인해 안정적인 수익은 2019 년 1 분기부터 크게 반등했습니다.
중미 무역 전쟁의 영향으로 인해 2018 년 3 분기 이후 갈륨 비소 및 질화 갈륨 파운드리 제조업체의 안정적인 수익이 2017 년 같은 기간에 9.2 %의 점진적인 감소에 비해 크게 영향을 받았습니다. 2018 년 4 사분기와 2019 년 1 사분기에는 -25.8 %와 -23.3 %로 하락이 더욱 두드러졌습니다.
2019 년 2/4 분기에 전 세계 환경은 불확실성과 소비재 수요 부족으로 가득했습니다. 2019 년 2/4 분기에 5G는 통신 장비 및 기지국 장비의 5G 매출에 대한 저항력이 높았으며, 심지어 반대의 성장에도 영향을 미쳤습니다.
GaN 컴포넌트는 5G 기지국에 대한 수요로 인해 축복을받을 것이며, 안정성은 점차 중미 무역 전쟁을 제거 할 것입니다.
5G 인프라의 개발로 기지국 관련 장비의 전력 증폭기 (PA)가 점점 더 주목을 받고 있습니다. 기지국의 신호 전송 거리와 전력 사용량의 차이로 인해 휴대 전화에 사용되는 PA 구성 요소 (GaAspHEMT)와 비교할 때 기지국의 PA 구성 요소는 GaN HEMT 구성 요소로 변환되어야합니다. 더 높은 주파수와 높은 전력. 이것은 기지국 장비의 성능과 내구성을 향상시킵니다.
GaNonSi 부품의 기지국 장비 산업 체인을 자세히 분석하면 (아래 그림 참조), Si 기판 공급 업체, GaN 에피 택셜 플랜트, 제조 파운드리 및 패키징 및 테스트 파운드리에 중점을두고 있으며, 그 중 GaN 제조 공정 품질 파운드리 PA 및 기타 기지국과 같은 장비 구성 요소의 기능적 성능을 결정합니다.
꾸준한 매출 상황에 따르면, 기지국 장비 부문은 2017 년 1 분기 저점에서 12 %로 전체 수입에서 점점 더 중요해졌으며 2019 년 2 분기에는 점차 29 %로 증가했습니다.
전체 수익 측면에서 분기 별 발전에 따라 안정적인 기지국 장비의 출력 값은 분기별로 증가했으며 2019 년 2 분기에 4,400 만 달러의 높은 지점에 도달하여 계절. 수익 성능은 중미 무역 전쟁의 영향을 받지만이 단계에서 5G 통신 장비의 개발 및 레이아웃은 여전히 진행 중입니다. 기지국 장비에서 안정적인 GaN 구성 요소를 사용하고 구성하기 위해 수입은 점차적으로 Sino-US 마찰 헤이즈를 제거합니다.