BSR58LT1G
제품 모델 BSR58LT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
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BSR58LT1G의 기술 정보
제조업체 부품 번호 BSR58LT1G 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2690 pcs
전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @ 800mV @ 1µA 전압 - 파괴 (V (BR) GSS) 40V
제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 연속 -
저항 - RDS (ON) 60 Ohms 전력 - 최대 350mW
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 유형 N-Channel
상세 설명 JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0) 8mA @ 15V
기본 부품 번호 BSR58  
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