FQPF3N80C
제품 모델 FQPF3N80C
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
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FQPF3N80C의 기술 정보
제조업체 부품 번호 FQPF3N80C 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 18500 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-220F
연속 QFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
전력 소비 (최대) 39W (Tc) 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 28 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 705pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 16.5nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 800V
상세 설명 N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Tc)
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