FQPF3N80C | |
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제품 모델 | FQPF3N80C |
제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
가능 수량 | 18500 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | FQPF3N80C.pdf |
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FQPF3N80C Price |
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FQPF3N80C의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | FQPF3N80C | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 기술 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | 18500 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220F |
연속 | QFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 39W (Tc) | 포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 28 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 705pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800V |
상세 설명 | N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Tc) |
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