HGT1S20N60A4S9A
제품 모델 HGT1S20N60A4S9A
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 70A 290W TO263AB
가능 수량 2844 pcs new original in stock.
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HGT1S20N60A4S9A의 기술 정보
제조업체 부품 번호 HGT1S20N60A4S9A 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 IGBT 600V 70A 290W TO263AB
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 2844 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.7V @ 15V, 20A
시험 조건 390V, 20A, 3 Ohm, 15V Td (온 / 오프) @ 25 ° C 15ns/73ns
에너지 전환 105µJ (on), 150µJ (off) 제조업체 장치 패키지 TO-263AB
연속 - 전력 - 최대 290W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 142nC 상세 설명 IGBT 600V 70A 290W Surface Mount TO-263AB
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 280A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 70A
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