HGT1S7N60A4DS
제품 모델 HGT1S7N60A4DS
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 34A 125W TO263AB
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HGT1S7N60A4DS의 기술 정보
제조업체 부품 번호 HGT1S7N60A4DS 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 IGBT 600V 34A 125W TO263AB
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 2541 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.7V @ 15V, 7A
시험 조건 390V, 7A, 25 Ohm, 15V Td (온 / 오프) @ 25 ° C 11ns/100ns
에너지 전환 55µJ (on), 60µJ (off) 제조업체 장치 패키지 TO-263AB
연속 - 역 회복 시간 (trr) 34ns
전력 - 최대 125W 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 게이트 충전 37nC
상세 설명 IGBT 600V 34A 125W Surface Mount TO-263AB 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 56A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 34A HGT1S7N60A4DS 세부 정보 PDF [English] HGT1S7N60A4DS PDF - EN.pdf
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