MUN5231T1G
제품 모델 MUN5231T1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
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MUN5231T1G의 기술 정보
제조업체 부품 번호 MUN5231T1G 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
패키지 / 케이스 Cut Tape (CT) 가능 수량 2536 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 5mA, 10mA
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 제조업체 장치 패키지 SC-70-3 (SOT323)
연속 - 저항기 - 이미 터베이스 (R2) 2.2 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms 전력 - 최대 202mW
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
다른 이름들 MUN5231T1GOSCT 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 21 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 8 @ 5mA, 10V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA 기본 부품 번호 MUN52**T
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