NTMFD4C85NT3G
제품 모델 NTMFD4C85NT3G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
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NTMFD4C85NT3G의 기술 정보
제조업체 부품 번호 NTMFD4C85NT3G 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2567 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.1V @ 250µA 제조업체 장치 패키지 8-DFN (5x6)
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 3 mOhm @ 20A, 10V
전력 - 최대 1.13W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1960pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 Standard 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.4A, 29.7A
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