NTZD5110NT1G
제품 모델 NTZD5110NT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
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NTZD5110NT1G의 기술 정보
제조업체 부품 번호 NTZD5110NT1G 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
패키지 / 케이스 SOT-563 가능 수량 22000 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA 제조업체 장치 패키지 SOT-563
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
전력 - 최대 250mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 다른 이름들 NTZD5110NT1G-ND
NTZD5110NT1GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 45 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 24.5pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 Logic Level Gate 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 294mA
기본 부품 번호 NTZD5110N NTZD5110NT1G 세부 정보 PDF [English] NTZD5110NT1G PDF - EN.pdf
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