CSD23285F5
제품 모델 CSD23285F5
제조사 N/A
기술 MOSFET P-CH 12V
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CSD23285F5의 기술 정보
제조업체 부품 번호 CSD23285F5 범주 이산 반도체 제품
제조사 N/A 기술 MOSFET P-CH 12V
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2515 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 950mV @ 250µA Vgs (최대) -6V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 3-PICOSTAR
연속 FemtoFET™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 35 mOhm @ 1A, 4.5V
전력 소비 (최대) 500mW (Ta) 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 3-XFDFN 다른 이름들 296-47203-2
CSD23285F5-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 35 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 628pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V 상세 설명 P-Channel 12V 5.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.4A (Ta)  
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