| TSM130NB06CR RLG | |
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| 제품 모델 | TSM130NB06CR RLG |
| 제조사 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN |
| 가능 수량 | 37790 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| 데이터 시트 | 1.TSM130NB06CR RLG.pdf2.TSM130NB06CR RLG.pdf |
| TSM130NB06CR RLG Price |
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| TSM130NB06CR RLG의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | TSM130NB06CR RLG | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Taiwan Semiconductor | 기술 | MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN |
| 패키지 / 케이스 | 8-PDFN (5.2x5.75) | 가능 수량 | 37790 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-PDFN (5.2x5.75) |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 13mOhm @ 10A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 83W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2380 pF @ 30 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta), 51A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | TSM130 | ||
| 다운로드 | TSM130NB06CR RLG PDF - EN.pdf | ||
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| TSM130NB06CR RLG 관련 부품 | |||||
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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TSM1426CU6RF | TS SOT-363 | TOSHIBA | ||
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TSM130NB06LCR | MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN | Taiwan Semiconductor Corporation | ||
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TSM12M | ADS QFN | ADS | ||
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TSM13ND50CI | MOSFET N-CH 500V 13A ITO220 | Taiwan Semiconductor Corporation | ||
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TSM12MC IC | ADS MLF-32 | ADS | ||
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TSM1426CU6 | TAIWAN SEMICONDUCTOR SOT-363 | TSC | ||
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TSM130NB06LCR RLG | MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN | Taiwan Semiconductor Corporation | ||
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TSM1412CU6 | TSC SOT-363 | TSC | ||
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TSM1285BESA+T | IC ADC 12BIT SAR 8SOIC | Silicon Labs | ||
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TSM13N50ACZ C0G | MOSFET N-CHANNEL 500V 13A TO220 | Taiwan Semiconductor Corporation | ||
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