DMN1150UFL3-7
제품 모델 DMN1150UFL3-7
제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
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DMN1150UFL3-7의 기술 정보
제조업체 부품 번호 DMN1150UFL3-7 범주 이산 반도체 제품
제조사 Diodes Incorporated 기술 MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2913 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA 제조업체 장치 패키지 8-SO
연속 Automotive, AEC-Q101 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 150 mOhm @ 1A, 4.5V
전력 - 최대 390mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 115pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 Standard 소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A  
다운로드DMN1150UFL3-7 PDF - EN.pdf
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