IRF840S
제품 모델 IRF840S
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
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IRF840S의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IRF840S 범주 이산 반도체 제품
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay 기술 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 6284 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 D2PAK
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 850 mOhm @ 4.8A, 10V
전력 소비 (최대) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 다른 이름들 *IRF840S
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 500V
상세 설명 N-Channel 500V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc)
다운로드IRF840S PDF - EN.pdf
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