| SI2366DS-T1-GE3 | |
|---|---|
| 제품 모델 | SI2366DS-T1-GE3 |
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| 가능 수량 | 28387 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | SI2366DS-T1-GE3.pdf |
| 다운로드 | SI2366DS-T1-GE3 세부 정보 PDF |
| SI2366DS-T1-GE3 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI2366DS-T1-GE3의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | SI2366DS-T1-GE3 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 기술 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| 패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | 28387 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 36 mOhm @ 4.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 다른 이름들 | SI2366DS-T1-GE3-ND SI2366DS-T1-GE3TR |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 335pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
| 상세 설명 | N-Channel 30V 5.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.8A (Tc) |
| SI2366DS-T1-GE3 세부 정보 PDF [English] | SI2366DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
| 다운로드 | SI2366DS-T1-GE3 세부 정보 PDF | ||
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SI2366DS-T1-GE3 온라인.
| SI2366DS-T1-GE3 증권 | SI2366DS-T1-GE3 가격 | SI2366DS-T1-GE3 전자 |
| SI2366DS-T1-GE3 구성 요소 | 인벤토리 | SI2366DS-T1-GE3 Digikey |
| 공급 업체 SI2366DS-T1-GE3 | SI2366DS-T1-GE3 온라인 주문 | 문의 SI2366DS-T1-GE3 |
| SI2366DS-T1-GE3 이미지 | SI2366DS-T1-GE3 그림 | SI2366DS-T1-GE3 PDF |
| SI2366DS-T1-GE3 데이터 시트 | SI2366DS-T1-GE3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Electro-Films (EFI) / Vishay |
