SI7720DN-T1-GE3 | |
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제품 모델 | SI7720DN-T1-GE3 |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 |
가능 수량 | 16163 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | |
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SI7720DN-T1-GE3 Price |
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SI7720DN-T1-GE3의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | SI7720DN-T1-GE3 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 기술 | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 |
패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | 16163 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 |
연속 | SkyFET®, TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12.5 mOhm @ 10A, 10V |
전력 소비 (최대) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8 | 다른 이름들 | SI7720DN-T1-GE3TR SI7720DNT1GE3 |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1790pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Tc) |
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