SI7940DP-T1-E3
제품 모델 SI7940DP-T1-E3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
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SI7940DP-T1-E3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SI7940DP-T1-E3 범주 이산 반도체 제품
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay 기술 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2684 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 250µA 제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual
연속 TrenchFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
전력 - 최대 1.4W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 Logic Level Gate 소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 7.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.6A
기본 부품 번호 SI7940 SI7940DP-T1-E3 세부 정보 PDF [English] SI7940DP-T1-E3 PDF - EN.pdf
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공급 업체 SI7940DP-T1-E3SI7940DP-T1-E3 온라인 주문 문의 SI7940DP-T1-E3
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