SIZ998DT-T1-GE3 | |
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제품 모델 | SIZ998DT-T1-GE3 |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
가능 수량 | 2972 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | SIZ998DT-T1-GE3.pdf |
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SIZ998DT-T1-GE3 Price |
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SIZ998DT-T1-GE3의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | SIZ998DT-T1-GE3 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 기술 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | 2972 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-PowerPair® |
연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V |
전력 - 최대 | 20.2W, 32.9W | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN | 다른 이름들 | SIZ998DT-T1-GE3-ND SIZ998DT-T1-GE3TR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 32 Weeks |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual), Schottky | FET 특징 | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair® |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) | SIZ998DT-T1-GE3 세부 정보 PDF [English] | SIZ998DT-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SIZ998DT-T1-GE3 구성 요소 | 인벤토리 | SIZ998DT-T1-GE3 Digikey |
공급 업체 SIZ998DT-T1-GE3 | SIZ998DT-T1-GE3 온라인 주문 | 문의 SIZ998DT-T1-GE3 |
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