EPC2100ENGRT
제품 모델 EPC2100ENGRT
제조사 EPC
기술 MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
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EPC2100ENGRT의 기술 정보
제조업체 부품 번호 EPC2100ENGRT 범주 이산 반도체 제품
제조사 EPC 기술 MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2693 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 제조업체 장치 패키지 Die
연속 eGaN® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V
전력 - 최대 - 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 Die 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 380pF @ 15V, 1700pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 GaNFET (Gallium Nitride) 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A (Tj), 38A (Tj)  
다운로드EPC2100ENGRT PDF - EN.pdf
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