FF225R12ME4BOSA1
제품 모델 FF225R12ME4BOSA1
제조사 Infineon Technologies
기술 IGBT MOD 1200V 320A 1050W
가능 수량 2583 pcs new original in stock.
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FF225R12ME4BOSA1의 기술 정보
제조업체 부품 번호 FF225R12ME4BOSA1 범주  
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IGBT MOD 1200V 320A 1050W
패키지 / 케이스 module 가능 수량 2583 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200 V VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.15V @ 15V, 225A
제조업체 장치 패키지 Module 연속 EconoDUAL™ 3
전력 - 최대 1050 W 패키지 / 케이스 Module
패키지 Tray 작동 온도 -40°C ~ 150°C
NTC 써미스터 Yes 실장 형 Chassis Mount
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 13 nF @ 25 V 입력 Standard
IGBT 유형 Trench Field Stop 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 3 mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 320 A 구성 2 Independent
기본 제품 번호 FF225R12  
다운로드FF225R12ME4BOSA1 PDF - EN.pdf
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