IPD80R360P7ATMA1
제품 모델 IPD80R360P7ATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
가능 수량 2552 pcs new original in stock.
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IPD80R360P7ATMA1의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IPD80R360P7ATMA1 범주 이산 반도체 제품
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies) 기술 MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 2552 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 280µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-TO252-3
연속 CoolMOS™ P7 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 360 mOhm @ 5.6A, 10V
전력 소비 (최대) 84W (Tc) 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 다른 이름들 IPD80R360P7ATMA1TR
SP001633516
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 930pF @ 500V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 800V
상세 설명 N-Channel 800V 13A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Tc)
다운로드IPD80R360P7ATMA1 PDF - EN.pdf
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