IRF7700GTRPBF | |
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제품 모델 | IRF7700GTRPBF |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP |
가능 수량 | 2500 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IRF7700GTRPBF.pdf2.IRF7700GTRPBF.pdf3.IRF7700GTRPBF.pdf |
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IRF7700GTRPBF Price |
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IRF7700GTRPBF의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IRF7700GTRPBF | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP | 가능 수량 | 2500 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 250µA | Vgs (최대) | ±12V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-TSSOP |
연속 | HEXFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15mOhm @ 8.6A, 4.5V |
전력 소비 (최대) | 1.5W (Ta) | 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4300 pF @ 15 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 89 nC @ 5 V | FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.6A (Ta) |
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IRF7700GTRPBF
고효율 P-채널 HEXFET 파워 MOSFET
인터내셔널 렉티파이어 (인피니언 테크놀로지스)
MOSFET (금속 산화물) 기술, P-채널 파워 MOSFET, 높은 효율을 위한 낮은 Rds(On), 기존 표면 실장 기술과 호환 가능, 고밀도 전력 관리 설계
견고한 열 성능, 25°C에서 8.6A의 연속 드레인 전류, 1.5W의 전력 소산 (Ta), -55°C에서 150°C까지 작동 가능
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대): 8.6A, 4.5V에서 15mOhm, 게이트 전하 (Qg) (최대): 5V에서 89nC, 입력 정전 용량 (Ciss) (최대): 15V에서 4300pF
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173인치, 4.40mm 폭), 제조업체 포장: 8-TSSOP, 자동 조립을 위한 테이프 및 릴(TR) 포장
무연 / RoHS 준수, 장기 신뢰성을 위한 설계
배터리 관리 및 로드 스위치 응용 프로그램에 적합, 전도 손실 최소화, 열적 영향 감소
작은 폼팩터에서 높은 전류 용량, 낮은 게이트 전압에서 경쟁력 있는 Rds(On)
표면 실장 응용 프로그램을 위해 설계됨, 기존 SMT 조립 프로세스와 호환 가능
RoHS 준수
요구가 높은 응용 프로그램에 적합한 내구성 설계, 긴 작동 수명으로 설계됨
휴대용 및 모바일 장치의 파워 관리, DC/DC 변환기 및 전원 공급 모듈, 배터리 전원 시스템, 로드 스위치 응용 프로그램
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