IRF7700GTRPBF
제품 모델 IRF7700GTRPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP
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IRF7700GTRPBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IRF7700GTRPBF 범주  
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP
패키지 / 케이스 8-TSSOP 가능 수량 2500 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.2V @ 250µA Vgs (최대) ±12V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 8-TSSOP
연속 HEXFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 15mOhm @ 8.6A, 4.5V
전력 소비 (최대) 1.5W (Ta) 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4300 pF @ 15 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 89 nC @ 5 V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.6A (Ta)
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제품 모델

IRF7700GTRPBF

소개

고효율 P-채널 HEXFET 파워 MOSFET

브랜드 및 제조사

인터내셔널 렉티파이어 (인피니언 테크놀로지스)

특징 및 기능

MOSFET (금속 산화물) 기술, P-채널 파워 MOSFET, 높은 효율을 위한 낮은 Rds(On), 기존 표면 실장 기술과 호환 가능, 고밀도 전력 관리 설계

제품 성능

견고한 열 성능, 25°C에서 8.6A의 연속 드레인 전류, 1.5W의 전력 소산 (Ta), -55°C에서 150°C까지 작동 가능

기술 사양

드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, Rds On (최대): 8.6A, 4.5V에서 15mOhm, 게이트 전하 (Qg) (최대): 5V에서 89nC, 입력 정전 용량 (Ciss) (최대): 15V에서 4300pF

크기, 형태 및 포장

패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173인치, 4.40mm 폭), 제조업체 포장: 8-TSSOP, 자동 조립을 위한 테이프 및 릴(TR) 포장

품질 및 신뢰성

무연 / RoHS 준수, 장기 신뢰성을 위한 설계

제품 장점

배터리 관리 및 로드 스위치 응용 프로그램에 적합, 전도 손실 최소화, 열적 영향 감소

제품 경쟁력

작은 폼팩터에서 높은 전류 용량, 낮은 게이트 전압에서 경쟁력 있는 Rds(On)

호환성

표면 실장 응용 프로그램을 위해 설계됨, 기존 SMT 조립 프로세스와 호환 가능

표준 인증 및 준수

RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

요구가 높은 응용 프로그램에 적합한 내구성 설계, 긴 작동 수명으로 설계됨

실제 적용 분야

휴대용 및 모바일 장치의 파워 관리, DC/DC 변환기 및 전원 공급 모듈, 배터리 전원 시스템, 로드 스위치 응용 프로그램

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