| IRF7706GTRPBF | |
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| 제품 모델 | IRF7706GTRPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP |
| 가능 수량 | 2604 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.IRF7706GTRPBF.pdf2.IRF7706GTRPBF.pdf |
| IRF7706GTRPBF Price |
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| IRF7706GTRPBF의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | IRF7706GTRPBF | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP | 가능 수량 | 2604 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-TSSOP |
| 연속 | HEXFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22mOhm @ 7A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 1.51W (Ta) | 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2211 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Ta) |
| 다운로드 | IRF7706GTRPBF PDF - EN.pdf | ||
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