| IRF8113TR | |
|---|---|
| 제품 모델 | IRF8113TR |
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| 가능 수량 | 7559 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | IRF8113TR.pdf |
| 다운로드 | IRF8113TR 세부 정보 PDF |
| IRF8113TR Price |
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| IRF8113TR의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | IRF8113TR | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| 패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | 7559 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO | 연속 | HEXFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V | 전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2910pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17.2A (Ta) |
| IRF8113TR 세부 정보 PDF [English] | IRF8113TR PDF - EN.pdf | ||
| 다운로드 | IRF8113TR 세부 정보 PDF | ||
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| IRF8113TR 증권 | IRF8113TR 가격 | IRF8113TR 전자 | |||
| IRF8113TR 구성 요소 | 인벤토리 | IRF8113TR Digikey | |||
| 공급 업체 IRF8113TR | IRF8113TR 온라인 주문 | 문의 IRF8113TR | |||
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