IRG7CH50K10EF의 기술 정보
제조업체 부품 번호
IRG7CH50K10EF
범주
제조사
Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
기술
IGBT CHIP WAFER
패키지 / 케이스
DIE
가능 수량
2514 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
2.2V @ 15V, 25A
시험 조건
600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C
50ns/280ns
에너지 전환
-
제조업체 장치 패키지
Die
연속
-
패키지 / 케이스
Die
다른 이름들
SP001532664
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임
16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
입력 유형
Standard
IGBT 유형
Trench Field Stop
게이트 충전
170nC
상세 설명
IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
35A
다운로드 IRG7CH50K10EF PDF - EN.pdf
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