| SPP20N60C3XKSA1 | |
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| 제품 모델 | SPP20N60C3XKSA1 |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 |
| 가능 수량 | 2975 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SPP20N60C3XKSA1.pdf2.SPP20N60C3XKSA1.pdf |
| SPP20N60C3XKSA1 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SPP20N60C3XKSA1의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SPP20N60C3XKSA1 | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO220-3-1 | 가능 수량 | 2975 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.9V @ 1mA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
| 연속 | CoolMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 208W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20.7A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SPP20N60 | ||
| 다운로드 | SPP20N60C3XKSA1 PDF - EN.pdf | ||
제품 모델
SPP20N60C3XKSA1
소개
고성능 N채널 파워 MOSFET
브랜드 및 제조사
국제 정류기(인피니온 테크놀로지스)
특징 및 기능
MOSFET 기술, CoolMOS 시리즈, N-채널 타입
제품 성능
드레인-소스 전압 600V, 25°C에서 연속 드레인 전류 20.7A, 최대 전력 소산 208W, Rds On 190 mOhm
기술 사양
금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터
크기, 형태 및 포장
TO-220-3 패키지, 스루 홀 마운팅 타입, 튜브 포장
품질 및 신뢰성
강화된 내구성
제품 장점
높은 전압 능력, 낮은 게이트 전하
제품 경쟁력
전력 효율성을 최적화함
호환성
스루 홀 마운팅 호환 가능
표준 인증 및 준수
납 없는, RoHS 준수
수명 및 지속 가능성
장기 사용을 위한 내구성 있는 구조
실제 적용 분야
전력 변환 응용 분야에 적합
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SPP20N60C3XKSA1 온라인.
| SPP20N60C3XKSA1 증권 | SPP20N60C3XKSA1 가격 | SPP20N60C3XKSA1 전자 | |||
| SPP20N60C3XKSA1 구성 요소 | 인벤토리 | SPP20N60C3XKSA1 Digikey | |||
| 공급 업체 SPP20N60C3XKSA1 | SPP20N60C3XKSA1 온라인 주문 | 문의 SPP20N60C3XKSA1 | |||
| SPP20N60C3XKSA1 이미지 | SPP20N60C3XKSA1 그림 | SPP20N60C3XKSA1 PDF | |||
| SPP20N60C3XKSA1 데이터 시트 | SPP20N60C3XKSA1 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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