SPP20N60C3XKSA1
제품 모델 SPP20N60C3XKSA1
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
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SPP20N60C3XKSA1의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SPP20N60C3XKSA1 범주 이산 반도체 제품
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
패키지 / 케이스 PG-TO220-3-1 가능 수량 2975 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.9V @ 1mA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-TO220-3-1
연속 CoolMOS™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 190mOhm @ 13.1A, 10V
제품 상태 Active 전력 소비 (최대) 208W (Tc)
패키지 / 케이스 TO-220-3 패키지 Tube
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Through Hole
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2400 pF @ 25 V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 114 nC @ 10 V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 600 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20.7A (Tc) 기본 제품 번호 SPP20N60
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제품 모델

SPP20N60C3XKSA1

소개

고성능 N채널 파워 MOSFET

브랜드 및 제조사

국제 정류기(인피니온 테크놀로지스)

특징 및 기능

MOSFET 기술, CoolMOS 시리즈, N-채널 타입

제품 성능

드레인-소스 전압 600V, 25°C에서 연속 드레인 전류 20.7A, 최대 전력 소산 208W, Rds On 190 mOhm

기술 사양

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터

크기, 형태 및 포장

TO-220-3 패키지, 스루 홀 마운팅 타입, 튜브 포장

품질 및 신뢰성

강화된 내구성

제품 장점

높은 전압 능력, 낮은 게이트 전하

제품 경쟁력

전력 효율성을 최적화함

호환성

스루 홀 마운팅 호환 가능

표준 인증 및 준수

납 없는, RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

장기 사용을 위한 내구성 있는 구조

실제 적용 분야

전력 변환 응용 분야에 적합

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