| IXFQ50N50P3 | |
|---|---|
| 제품 모델 | IXFQ50N50P3 |
| 제조사 | IXYS Corporation |
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P |
| 가능 수량 | 2654 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| IXFQ50N50P3 Price |
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| IXFQ50N50P3의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | IXFQ50N50P3 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | IXYS Corporation | 기술 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P |
| 패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | 2654 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 4mA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-3P |
| 연속 | HiPerFET™, Polar3™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 120 mOhm @ 25A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 960W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4335pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 85nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
| 다운로드 | IXFQ50N50P3 PDF - EN.pdf | ||
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| IXFQ50N50P3 증권 | IXFQ50N50P3 가격 | IXFQ50N50P3 전자 | |||
| IXFQ50N50P3 구성 요소 | 인벤토리 | IXFQ50N50P3 Digikey | |||
| 공급 업체 IXFQ50N50P3 | IXFQ50N50P3 온라인 주문 | 문의 IXFQ50N50P3 | |||
| IXFQ50N50P3 이미지 | IXFQ50N50P3 그림 | IXFQ50N50P3 PDF | |||
| IXFQ50N50P3 데이터 시트 | IXFQ50N50P3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 IXYS Corporation | |||
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