IXFT30N50Q
제품 모델 IXFT30N50Q
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
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IXFT30N50Q의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IXFT30N50Q 범주 이산 반도체 제품
제조사 IXYS Corporation 기술 MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 3432 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 4mA 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-268 연속 HiPerFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 160 mOhm @ 15A, 10V 전력 소비 (최대) 360W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4925pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 190nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 500V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc)
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