IXST30N60BD1
제품 모델 IXST30N60BD1
제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT 600V 55A 200W TO268
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IXST30N60BD1의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IXST30N60BD1 범주 이산 반도체 제품
제조사 IXYS Corporation 기술 IGBT 600V 55A 200W TO268
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 2672 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.7V @ 15V, 55A
시험 조건 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V Td (온 / 오프) @ 25 ° C 30ns/150ns
에너지 전환 1.5mJ (off) 제조업체 장치 패키지 TO-268
연속 - 역 회복 시간 (trr) 50ns
전력 - 최대 200W 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 유형 Standard
IGBT 유형 - 게이트 충전 100nC
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 110A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 55A
다운로드IXST30N60BD1 PDF - EN.pdf
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