| IXTH120P065T | |
|---|---|
| 제품 모델 | IXTH120P065T |
| 제조사 | IXYS Corporation |
| 기술 | MOSFET P-CH 65V 120A TO-247 |
| 가능 수량 | 2514 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| IXTH120P065T Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| IXTH120P065T의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | IXTH120P065T | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | IXYS Corporation | 기술 | MOSFET P-CH 65V 120A TO-247 |
| 패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | 2514 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247 (IXTH) | 연속 | TrenchP™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10 mOhm @ 500mA, 10V | 전력 소비 (최대) | 298W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 13200pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 185nC @ 10V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 65V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
| 다운로드 | IXTH120P065T PDF - EN.pdf | ||
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| IXTH120P065T 증권 | IXTH120P065T 가격 | IXTH120P065T 전자 | |||
| IXTH120P065T 구성 요소 | 인벤토리 | IXTH120P065T Digikey | |||
| 공급 업체 IXTH120P065T | IXTH120P065T 온라인 주문 | 문의 IXTH120P065T | |||
| IXTH120P065T 이미지 | IXTH120P065T 그림 | IXTH120P065T PDF | |||
| IXTH120P065T 데이터 시트 | IXTH120P065T 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 IXYS Corporation | |||
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