APT1201R4BFLLG
제품 모델 APT1201R4BFLLG
제조사 Microsemi
기술 MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
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APT1201R4BFLLG의 기술 정보
제조업체 부품 번호 APT1201R4BFLLG 범주 이산 반도체 제품
제조사 Microsemi 기술 MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 2986 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 1mA 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-247 [B] 연속 POWER MOS 7®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V 전력 소비 (최대) 300W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Through Hole
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2030pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 75nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc)
다운로드APT1201R4BFLLG PDF - EN.pdf
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