APTM120A29FTG
제품 모델 APTM120A29FTG
제조사 Microsemi
기술 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
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APTM120A29FTG의 기술 정보
제조업체 부품 번호 APTM120A29FTG 범주 이산 반도체 제품
제조사 Microsemi 기술 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
패키지 / 케이스 Bulk 가능 수량 2609 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 5mA 제조업체 장치 패키지 SP4
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 348 mOhm @ 17A, 10V
전력 - 최대 780W 포장 Bulk
패키지 / 케이스 SP4 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10300pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 374nC @ 10V FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 Standard 소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A  
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