APTMC120HM17CT3AG
제품 모델 APTMC120HM17CT3AG
제조사 Microsemi
기술 POWER MODULE - SIC MOSFET
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APTMC120HM17CT3AG의 기술 정보
제조업체 부품 번호 APTMC120HM17CT3AG 범주 이산 반도체 제품
제조사 Microsemi 기술 POWER MODULE - SIC MOSFET
패키지 / 케이스 가능 수량 2653 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 30mA 제조업체 장치 패키지 SP3
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 17 mOhm @ 100A, 20V
전력 - 최대 750W 패키지 / 케이스 Module
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Chassis Mount
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5576pF @ 1000V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 332nC @ 5V FET 유형 4 N-Channel
FET 특징 Silicon Carbide (SiC) 소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200V (1.2kV)
상세 설명 Mosfet Array 4 N-Channel 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 750W Chassis Mount SP3 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 147A (Tc)
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