| APTML20UM18R010T1AG | |
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| 제품 모델 | APTML20UM18R010T1AG |
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
| 가능 수량 | 2698 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| APTML20UM18R010T1AG Price |
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| APTML20UM18R010T1AG의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | APTML20UM18R010T1AG | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Microsemi | 기술 | MOSFET N-CH 200V 109A SP1 |
| 패키지 / 케이스 | Bulk | 가능 수량 | 2698 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 2.5mA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | SP1 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 19 mOhm @ 50A, 10V | 전력 소비 (최대) | 480W (Tc) |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Chassis Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9880pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 109A (Tc) |
| 다운로드 | APTML20UM18R010T1AG PDF - EN.pdf | ||
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