| NP90N055NUK-S18-AY | |
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| 제품 모델 | NP90N055NUK-S18-AY |
| 제조사 | Renesas Electronics America |
| 기술 | MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 |
| 가능 수량 | 2512 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| NP90N055NUK-S18-AY Price |
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| NP90N055NUK-S18-AY의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | NP90N055NUK-S18-AY | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Renesas Electronics America | 기술 | MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 |
| 패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | 2512 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-262-3 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.8 mOhm @ 45A, 10V | 전력 소비 (최대) | 1.8W (Ta), 176W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7350pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 90A (Tc) |
| 다운로드 | NP90N055NUK-S18-AY PDF - EN.pdf | ||
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이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ NP90N055NUK-S18-AY 온라인.
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| NP90N055NUK-S18-AY 구성 요소 | 인벤토리 | NP90N055NUK-S18-AY Digikey | |||
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