SIE860DF-T1-GE3의 기술 정보 |
제조업체 부품 번호 |
SIE860DF-T1-GE3 |
범주 |
이산 반도체 제품 |
제조사 |
Vishay / Siliconix |
기술 |
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
패키지 / 케이스 |
Tape & Reel (TR) |
가능 수량 |
2585 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
2.5V @ 250µA |
과학 기술 |
MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 |
10-PolarPAK® (M) |
연속 |
TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
2.1 mOhm @ 21.7A, 10V |
전력 소비 (최대) |
5.2W (Ta), 104W (Tc) |
포장 |
Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 |
10-PolarPAK® (M) |
작동 온도 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
4500pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
105nC @ 10V |
FET 유형 |
N-Channel |
FET 특징 |
- |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
60A (Tc) |
다운로드 | SIE860DF-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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