1N5406
제품 모델 1N5406
제조사 ON Semiconductor
기술 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
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1N5406의 기술 정보
제조업체 부품 번호 1N5406 범주 이산 반도체 제품
제조사 ON Semiconductor 기술 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
패키지 / 케이스 Bulk 가능 수량 10443 pcs
전압 - 피크 역 (최대) Standard 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 3A
전압 - 파괴 DO-201AD 연속 -
RoHS 상태 Bulk 역 회복 시간 (trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
만약, F @ 저항 - 편광 DO-201AA, DO-27, Axial
다른 이름들 1N5406OS 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 부품 번호 1N5406
확장 설명 Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD 다이오드 구성 10µA @ 600V
기술 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 전류 - 누설 Vr에서 역방향 1V @ 3A
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 600V VR, F @ 용량 -65°C ~ 170°C
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