NSVMMUN2212LT1G
제품 모델 NSVMMUN2212LT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
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NSVMMUN2212LT1G의 기술 정보
제조업체 부품 번호 NSVMMUN2212LT1G 범주 이산 반도체 제품
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 기술 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
패키지 / 케이스 Tape & Reel (TR) 가능 수량 3061 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300µA, 10mA
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
연속 - 저항기 - 이미 터베이스 (R2) 22 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 22 kOhms 전력 - 최대 246mW
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 NSVMMUN2212LT1G-ND
NSVMMUN2212LT1GOSTR
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 60 @ 5mA, 10V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA  
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