CSD17577Q3A
제품 모델 CSD17577Q3A
제조사 Texas Instruments
기술 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
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CSD17577Q3A의 기술 정보
제조업체 부품 번호 CSD17577Q3A 범주 이산 반도체 제품
제조사 Texas Instruments 기술 MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
패키지 / 케이스 8-VSONP (3x3.3) 가능 수량 50110 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 1.8V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 8-VSONP (3x3.3)
연속 NexFET™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.8mOhm @ 16A, 10V
제품 상태 Active 전력 소비 (최대) 2.8W (Ta), 53W (Tc)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 패키지 Tape & Reel (TR)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2310 pF @ 15 V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 35 nC @ 10 V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A (Ta) 기본 제품 번호 CSD17577
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제품 모델

CSD17577Q3A

소개

고효율 전원 관리 응용 프로그램을 위해 설계된 N-채널 MOSFET입니다.

브랜드 및 제조사

루미너리 마이크로 / 텍사스 인스트루먼트

특징 및 기능

N-채널, 표면 장착형

무납 / RoHS 준수

습기 민감도 수준(MSL) 1 (무제한)

제품 성능

작동 온도: -55°C ~ 150°C

전력 소산: 2.8W (Ta), 53W (Tc)

연속 배수 전류(Id): 25°C에서 35A

게이트 전하(Qg) (최대): 10V에서 35nC

기술 사양

소스에서 드레인 전압(Vdss): 30V

Rds On (최대) at Id, Vgs: 16A, 10V에서 4.8 mΩ

Vgs(th) (최대) at Id: 250µA에서 1.8V

입력 용량(Ciss) (최대) at Vds: 15V에서 2310pF

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (최대): ±20V

크기, 형태 및 포장

8-PowerVDFN

패키지 치수: 3x3.15 mm

패키징: 테이프 및 릴(TR)

품질 및 신뢰성

극한 조건에서의 높은 신뢰성

품질 및 안전성을 위한 최신 산업 표준 준수

제품 장점

낮은 Rds(on)으로 인한 높은 전력 효율성

강력한 열 성능

제품 경쟁력

전력 전자 소자의 전력 효율성 및 열 관리 경쟁력 있음

호환성

PCB 설계에 쉽게 통합할 수 있는 표면 장착 기술과 호환

표준 인증 및 준수

무연 및 RoHS 준수 산업 표준 충족

수명 및 지속 가능성

변화하는 환경 조건에서 장기 성능을 위한 내구성 있는 설계

실제 적용 분야

전원 관리 시스템, 스위치 모드 전원 공급 장치 및 기타 고효율 응용 프로그램에 사용

CSD17577Q3A은 신품이며 재고 있음, Ariat-Tech 전자 부품 재고, 데이터 시트, 재고 및 가격은 Ariat-Tech .com Online에서 확인하십시오. CSD17577Q3A Texas Instruments는 Ariat Technology Limitd에서 보증하고 확신을 가지고 주문하십시오. DHL / FedEx / UPS를 통해 배송하십시오. 송금 또는 PayPal로 지불하는 것은 괜찮습니다.
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