| STWA75N65DM6 | |
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| 제품 모델 | STWA75N65DM6 |
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 |
| 가능 수량 | 1976 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| 데이터 시트 | STWA75N65DM6.pdf |
| STWA75N65DM6 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| STWA75N65DM6의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | STWA75N65DM6 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | STMicroelectronics | 기술 | N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247 Long Leads | 가능 수량 | 1976 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.75V @ 250µA | Vgs (최대) | ±25V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247 Long Leads |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 36mOhm @ 37.5A, 10V |
| 제품 상태 | Active | 전력 소비 (최대) | 480W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5700 pF @ 100 V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) |
이메일: Info@Ariat-Tech.com 또는 온라인에서 STWA75N65DM6 RFQ 문의.
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