SIZ340DT-T1-GE3의 기술 정보 |
제조업체 부품 번호 |
SIZ340DT-T1-GE3 |
범주 |
이산 반도체 제품 |
제조사 |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 |
MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3 |
패키지 / 케이스 |
Tape & Reel (TR) |
가능 수량 |
15504 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
2.4V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 |
8-Power33 (3x3) |
연속 |
PowerPAIR®, TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
9.5 mOhm @ 15.6A, 10V |
전력 - 최대 |
16.7W, 31W |
포장 |
Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 |
8-PowerWDFN |
다른 이름들 |
SIZ340DT-T1-GE3TR |
작동 온도 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 |
32 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
760pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
19nC @ 10V |
FET 유형 |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 특징 |
Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
30V |
상세 설명 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
30A, 40A |
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