| EPC2033ENGRT | |
|---|---|
| 제품 모델 | EPC2033ENGRT |
| 제조사 | EPC |
| 기술 | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE |
| 가능 수량 | 2594 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| EPC2033ENGRT Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| EPC2033ENGRT의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | EPC2033ENGRT | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | EPC | 기술 | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE |
| 패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | 2594 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 9mA | Vgs (최대) | +6V, -4V |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | 제조업체 장치 패키지 | Die |
| 연속 | eGaN® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| 전력 소비 (최대) | - | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | Die | 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1140pF @ 75V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 5V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 31A (Ta) |
| 다운로드 | EPC2033ENGRT PDF - EN.pdf | ||
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| EPC2033ENGRT 증권 | EPC2033ENGRT 가격 | EPC2033ENGRT 전자 | |||
| EPC2033ENGRT 구성 요소 | 인벤토리 | EPC2033ENGRT Digikey | |||
| 공급 업체 EPC2033ENGRT | EPC2033ENGRT 온라인 주문 | 문의 EPC2033ENGRT | |||
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