| IRF3710LPBF | |
|---|---|
| 제품 모델 | IRF3710LPBF |
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
| 가능 수량 | 2942 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| IRF3710LPBF Price |
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| IRF3710LPBF의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | IRF3710LPBF | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 |
| 패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | 2942 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-262 |
| 연속 | HEXFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 23 mOhm @ 28A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 200W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3130pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 57A (Tc) |
| 다운로드 | IRF3710LPBF PDF - EN.pdf | ||
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| IRF3710LPBF 증권 | IRF3710LPBF 가격 | IRF3710LPBF 전자 | |||
| IRF3710LPBF 구성 요소 | 인벤토리 | IRF3710LPBF Digikey | |||
| 공급 업체 IRF3710LPBF | IRF3710LPBF 온라인 주문 | 문의 IRF3710LPBF | |||
| IRF3710LPBF 이미지 | IRF3710LPBF 그림 | IRF3710LPBF PDF | |||
| IRF3710LPBF 데이터 시트 | IRF3710LPBF 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 International Rectifier (Infineon Technologies) | |||
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