IXTA2N100P | |
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제품 모델 | IXTA2N100P |
제조사 | IXYS Corporation |
기술 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
가능 수량 | 2528 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | |
IXTA2N100P Price |
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IXTA2N100P의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IXTA2N100P | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | IXYS Corporation | 기술 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
패키지 / 케이스 | Tube | 가능 수량 | 2528 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 100µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-263 (IXTA) | 연속 | Polar™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V | 전력 소비 (최대) | 86W (Tc) |
포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 655pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 24.3nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000V (1kV) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Tc) |
다운로드 | IXTA2N100P PDF - EN.pdf |
IXTA2N100P 증권 | IXTA2N100P 가격 | IXTA2N100P 전자 | |||
IXTA2N100P 구성 요소 | 인벤토리 | IXTA2N100P Digikey | |||
공급 업체 IXTA2N100P | IXTA2N100P 온라인 주문 | 문의 IXTA2N100P | |||
IXTA2N100P 이미지 | IXTA2N100P 그림 | IXTA2N100P PDF | |||
IXTA2N100P 데이터 시트 | IXTA2N100P 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 IXYS Corporation |
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