MMIX1F230N20T
제품 모델 MMIX1F230N20T
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
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MMIX1F230N20T의 기술 정보
제조업체 부품 번호 MMIX1F230N20T 범주 이산 반도체 제품
제조사 IXYS Corporation 기술 MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
패키지 / 케이스 Tube 가능 수량 2562 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 8mA 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SMPD 연속 GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 8.3 mOhm @ 60A, 10V 전력 소비 (최대) 600W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 24-PowerSMD, 21 Leads
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 28000pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 378nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 168A (Tc)
다운로드MMIX1F230N20T PDF - EN.pdf
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