1N5811US
제품 모델 1N5811US
제조사 Microsemi
기술 DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
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1N5811US의 기술 정보
제조업체 부품 번호 1N5811US 범주 이산 반도체 제품
제조사 Microsemi 기술 DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
패키지 / 케이스 Bulk 가능 수량 2678 pcs
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 875mV @ 4A 전압 - 역방향 (Vr) (최대) 150V
제조업체 장치 패키지 B, SQ-MELF 속도 Fast Recovery = 200mA (Io)
연속 - 역 회복 시간 (trr) 30ns
포장 Bulk 패키지 / 케이스 SQ-MELF, B
작동 온도 - 정션 -65°C ~ 175°C 실장 형 Surface Mount
다이오드 유형 Standard 전류 - 누설 Vr에서 역방향 5µA @ 50V
전류 - 평균 정류 (Io) 3A VR, F @ 용량 60pF @ 10V, 1MHz
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