| SISS70DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| 제품 모델 | SISS70DN-T1-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK |
| 가능 수량 | 77824 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| 데이터 시트 | SISS70DN-T1-GE3.pdf |
| SISS70DN-T1-GE3 Price |
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| SISS70DN-T1-GE3의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | SISS70DN-T1-GE3 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8S | 가능 수량 | 77824 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8S |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 29.8mOhm @ 8.5A, 10V |
| 제품 상태 | Active | 전력 소비 (최대) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8S | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 535 pF @ 62.5 V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 125 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.5A (Ta), 31A (Tc) | 기본 제품 번호 | SISS70 |
| 다운로드 | SISS70DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SISS70DN-T1-GE3 증권 | SISS70DN-T1-GE3 가격 | SISS70DN-T1-GE3 전자 | |||
| SISS70DN-T1-GE3 구성 요소 | 인벤토리 | SISS70DN-T1-GE3 Digikey | |||
| 공급 업체 SISS70DN-T1-GE3 | SISS70DN-T1-GE3 온라인 주문 | 문의 SISS70DN-T1-GE3 | |||
| SISS70DN-T1-GE3 이미지 | SISS70DN-T1-GE3 그림 | SISS70DN-T1-GE3 PDF | |||
| SISS70DN-T1-GE3 데이터 시트 | SISS70DN-T1-GE3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix | |||
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