| STW9N150 | |
|---|---|
| 제품 모델 | STW9N150 |
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3 |
| 가능 수량 | 4485 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| 데이터 시트 | 1.STW9N150.pdf2.STW9N150.pdf3.STW9N150.pdf4.STW9N150.pdf |
| STW9N150 Price |
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| STW9N150의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | STW9N150 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | STMicroelectronics | 기술 | MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | 가능 수량 | 4485 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 연속 | PowerMESH™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.5Ohm @ 4A, 10V |
| 제품 상태 | Active | 전력 소비 (최대) | 320W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3255 pF @ 25 V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 89.3 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1500 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) | 기본 제품 번호 | STW9 |
| 다운로드 | STW9N150 PDF - EN.pdf | ||
제품 모델
STW9N150
소개
고전압 응용 분야용 N-채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
STMicroelectronics
특징 및 기능
N-채널 MOSFET, 고전압 능력, 낮은 게이트 전하, 높은 입력 임피던스
제품 성능
1500V 드레인-소스 전압 (Vdss), 25°C에서 8A 연속 드레인 전류 (Id), 최대 320W 열 방출, 4A, 10V에서 2.5 Ohm Rds (On)
기술 사양
MOSFET (금속 산화물) 기술, TO-247-3 패키지
크기, 형태 및 포장
투홀 장착 타입, TO-247-3 공급 장치 패키지, 튜브 포장
품질 및 신뢰성
무연, RoHS 호환, MSL 1 (무제한)
제품 장점
고전압 운영 적합성, 전력 변환 효율성, 견고한 열 성능
제품 경쟁력
고전압 응용 분야에서 경쟁력 있음
호환성
투홀 다수 PCB 유형과 호환 가능
표준 인증 및 준수
무연 / RoHS 상태
수명 및 지속 가능성
지정 운영 조건에서 올바른 사용으로 긴 수명
실제 적용 분야
전원 공급 장치, 변환기, 모터 드라이브, 고전압 스위칭
이메일: Info@Ariat-Tech.com 또는 온라인에서 STW9N150 RFQ 문의.
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