APTM60A11FT1G의 기술 정보 |
제조업체 부품 번호 |
APTM60A11FT1G |
범주 |
이산 반도체 제품 |
제조사 |
Microsemi |
기술 |
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 |
패키지 / 케이스 |
Bulk |
가능 수량 |
2533 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
5V @ 2.5mA |
제조업체 장치 패키지 |
SP1 |
연속 |
- |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
132 mOhm @ 33A, 10V |
전력 - 최대 |
390W |
포장 |
Bulk |
패키지 / 케이스 |
SP1 |
작동 온도 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Chassis Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
10552pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
330nC @ 10V |
FET 유형 |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 특징 |
Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
600V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
40A | | |
다운로드 | APTM60A11FT1G PDF - EN.pdf |
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